中国研究人员运用低温电子断层扫描技术"冻结"芯片制造过程中的化学反应，将光刻缺陷减少99%。
中国研究人员研发的新型"尖端工具"能精确定位芯片生产过程中的制造缺陷根源。研究团队称，这项新技术可减少最多99%的误差，标志着国产半导体生产技术取得重大突破。目前计算机芯片制造中最精密的环节是光刻，该工艺本质上是通过光照在硅片上"印制"极其微小的电路图案。
这一过程可类比为冲洗显微照片：光刻设备先在硅片上覆盖光刻胶（一种光敏液体），随后让紫外线穿过作为电路"蓝图"的图案掩模版，最后光刻机通过化学方式显影光刻胶，使部分区域溶解、部分区域保留。
保留区域将作为后续工艺（如金属或硅蚀刻）的保护层。尽管这套工艺成熟高效，但长期来看仍存在严重问题。例如在显影阶段，光刻胶并不总是稳定反应，部分溶解材料会聚集成微米级颗粒重新附着在晶圆表面。
这些颗粒会导致桥接、断裂或边缘粗糙等缺陷，最终使芯片报废。在5纳米或更小节点（当前尖端芯片制程），仅30纳米大小的颗粒（约发丝直径的三千分之一）就足以损坏电路。由此造成的经济损失可能极为惊人。此前制造商无法直接观察显影液内部的实时反应，整个过程如同黑箱。
为此，由北京大学、清华大学和香港大学彭海林教授带领的研究团队，采用通常用于生物细胞精细研究的低温电子断层扫描技术，将化学反应过程瞬时冻结并进行三维观测。研究团队在晶圆曝光显影后，将显影液急速冷冻至零下175摄氏度，使所有反应瞬间停滞，随后通过电子断层扫描获取多角度图像，重构出分子级别的三维视图。
这使得他们能直观观测光刻胶聚合物在显影过程中的真实行为。通过这种处理方法，团队首次成功捕捉到故障成因 —— 例如发现光刻胶分子会通过疏水作用力像意大利面般纠缠缠绕，形成30-40纳米的颗粒。
研究还显示约70%的分子未能正常溶解，而是滞留于气液界面。当晶圆进行冲洗时，这些团簇会重新沉积至表面形成缺陷。基于这些发现，团队提出两个简单高效且与现有芯片制造工艺兼容的解决方案：建议适当提高曝光后的烘烤温度以减少聚合物纠缠，实施后发现团簇形成数量大幅减少；同时改进显影冲洗流程，在聚合物重新附着前通过调整流体将其清除。
经测试，12英寸（30.5厘米）晶圆的缺陷数量下降超99%，基本实现近乎完美的光刻质量。通过冷冻可视化技术，研究团队将长期依赖推测的无解难题，转化为可观测、可理解、可控制的工艺流程。
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